ASML下一代EUV光刻机提前量产：单价翻倍至3亿美元 在上月的下代ITF大会上

在上月的下代ITF大会上，半导体行业大脑imec（比利时微电子研究中心）公布的刻机蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度（?，提前angstrom，量产1埃=0.1纳米），翻倍其中2025对应A14（14?=1.4纳米），至亿2027年为A10（10?=1nm）、美元2029年为A7（7?＝0.7纳米）。下代

当时imec就表示，刻机除了新晶体管结构、提前2D材料，量产还有很关键的翻倍一环就是Ai导航High NA（高数值孔径）EUV光刻机。其透露，至亿0.55NA的美元下代EUV光刻机一号试做机（EXE:5000）会在2023年由ASML提供给imec，2026年量产。下代

不过，本月与媒体交流时，ASML似乎暗示这个进度要提前。第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问，2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产。

据悉，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，绝地求生辅助它能允许蚀刻更高分辨率的图案。

分析师Alan Priestley称，0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元（约合19亿），是当前0.33NA的两倍。

早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。